產(chǎn)品時(shí)間：2024-01-03
鍺片 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長(zhǎng)度決定。
鍺片
1、晶體習(xí)性與幾何描述：
該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長(zhǎng)度決定。當(dāng)一個(gè)晶體屬于原生態(tài)晶體時(shí)，其當(dāng)量直徑為：
D ----外形尺寸當(dāng)量直徑
W----鍺晶體重量
L-----晶體長(zhǎng)度
測(cè)量值是四舍五入小可達(dá)到毫米級(jí)別。為了便于訂單出貨，我們會(huì)依據(jù)晶體的體積、直徑和長(zhǎng)度進(jìn)行分類。同時(shí)我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務(wù)。
2、純度：殘留載荷
大允許凈載流子雜質(zhì)濃度與探頭二極管的幾個(gè)構(gòu)造有關(guān)，請(qǐng)參照如列公式。其純度依據(jù)據(jù)霍爾效應(yīng)測(cè)量和計(jì)算。
同軸探測(cè)器：同軸探測(cè)器適用于下列公式：
Nmax = 每立方厘米大雜質(zhì)含量
VD = 耗盡層電壓 = 5000 V
εo = 介電常數(shù) = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相對(duì)介電常數(shù)(Ge) = 16
q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探測(cè)器內(nèi)孔半徑
r2 = 探測(cè)器外孔半徑
鍺片
3、純度 ：
假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕，內(nèi)徑8毫米的內(nèi)孔半徑， 適用公式變?yōu)椋?nbsp;
D = 晶體外表面
平面探測(cè)器：平面探測(cè)器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：
d=探測(cè)器外觀尺寸厚度
徑向分散載荷子（值）
遷移：霍爾遷移
性能： P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s
能級(jí)： P 型晶體 通過(guò)深能瞬態(tài)測(cè)量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶體 通過(guò)深能瞬態(tài)測(cè)量點(diǎn)缺陷 < < 5*108 cm-3
晶體主要指標(biāo)： P 型晶體 N 型晶體
錯(cuò)位密度 ≤ 10000 ≤ 5000
星型結(jié)構(gòu) ≤ 3 ≤ 3
鑲嵌結(jié)構(gòu) ≤ 5 ≤ 5
電阻率 0.02-0.04 ohm.cm
4、高純度高純鍺HPGe晶體
說(shuō)明：
高純鍺晶體 | ||
產(chǎn)地 | 法國(guó) | |
物理性質(zhì) | 顏色 | 銀灰色 |
屬性 | 半導(dǎo)體材料 | |
密度 | 5.32g/cm3 | |
熔點(diǎn) | 937.2℃ | |
沸點(diǎn) | 2830℃ | |
技術(shù)指標(biāo) | 材料均勻度 | 特級(jí) |
光潔度 | 特優(yōu) | |
純度 | 99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N) | |
制備方式 | 鍺單晶是以區(qū)熔鍺錠為原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制備的鍺單晶體。 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | P、N型按客戶要求定制 | |
產(chǎn)品用途 | 超高純度，紅外器件、γ輻射探測(cè)器 | |
P型N型高純鍺 | 在高純金屬鍺中摻入三價(jià)元素如銦、鎵、硼等，得到p型鍺； 在高純金屬鍺中摻入五價(jià)元素如銻、砷、磷等，得到n型鍺。 | |
| 提供各種規(guī)格鍺片（鍺襯底），包含8英寸及以上的規(guī)格 | |
